反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備

RIE，全稱是Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕，是一種微電子干法腐蝕工藝。
RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為RIE（Reactive Ion Etching）。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面，經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞，而直接向試樣撞擊。為達(dá)到此目的，必須對(duì)真空度，氣體流量，離子加速電壓等進(jìn)行佳調(diào)整，同時(shí)，為得到高密度的等離子體，需用磁控管施加磁場(chǎng)，以提高加工能力。
我司提供多型號(hào)的RIE刻蝕系統(tǒng)，滿足國(guó)內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要。

反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備
深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)(Deep Reactive Ion Etching System)
RE系列反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有淋浴頭式樣的氣體分配系統(tǒng)及水冷射頻壓盤，柜體為不銹鋼材質(zhì)。反應(yīng)腔體為13英寸鋁制、從頂端打開方便晶片裝載取出，最大可進(jìn)行8英寸直徑樣品實(shí)驗(yàn)，帶有兩個(gè)艙門：一個(gè)艙門帶有2英寸視窗，另一個(gè)艙門用于終點(diǎn)探測(cè)及其他診斷。腔體可達(dá)到10-6 Torr壓力或更高，自直流偏置連續(xù)監(jiān)控、最大可達(dá)到500伏偏電壓(各向異性蝕刻)。該反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)為*由計(jì)算機(jī)控制的全自動(dòng)設(shè)備。
DRIE系列深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤，設(shè)備使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的渦輪泵，在10-3Torr壓力范圍運(yùn)行。



RIE 設(shè)備參數(shù):
鋁材腔體或不銹鋼腔體；
不銹鋼盒；
可以刻蝕硅化物(~400 ? /min)或金屬；
典型硅刻蝕速率 400 ? /min；
射頻源: 最大12"陽極化射頻平板(RF)；
真空度:大約20分鐘內(nèi)達(dá)到1E-6Torr,極限真空5E-7Torr；
雙刻蝕容量：RIE和等離子刻蝕；
氣動(dòng)升降蓋；
手動(dòng)/全自動(dòng)裝卸樣品；
預(yù)抽真空室；
電腦控制
選配ICp源和平臺(tái)的低溫冷卻實(shí)現(xiàn)深硅刻蝕。

反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)可選配：
1. 最高700W的高密度等離子源進(jìn)行各向同性蝕刻(isotropic etching)；
2. ICP等離子源，2KW射頻電源及調(diào)諧器；
3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling)；
4. 終點(diǎn)探測(cè)(End point detection) ；
5. 蘭繆爾探針；
6. 靜電卡盤(Electrostatic chuck)；
7. 附加MFC’s；
8. 1KW射頻電流源及調(diào)諧器；
9. 低頻電流源及調(diào)諧器；